AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3814L是AOS推出的一款采用TO-252封装的N沟道双MOSFET阵列。该器件集成了两个共漏极连接的N沟道MOSFET，每个通道在壳温25°C下的连续漏极电流额定值为6A，漏源电压为20V，适用于低压高电流的开关场景。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。在Vgs=4.5V条件下，导通电阻最大值低至17毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，其逻辑电平栅极驱动（Vgs(th)≤1.1V）和极低的栅极电荷（Qg最大13nC），确保了器件可由标准微控制器直接、快速地驱动，非常适合用于高频同步整流和高效的DC-DC功率转换拓扑中。
基本参数：
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