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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6236 是一款 N 沟道 MOSFET，采用 8-DFN 封装，专为高效率和功率密度优化设计。其核心优势在于极低的导通电阻（7mΩ @ 10V, 20A）和优化的栅极电荷（26nC @ 10V），这共同确保了在开关电源应用中实现更低的传导与开关损耗。
该器件额定电压为 40V，在管壳温度下可持续承载高达 30A 的电流，并支持 4.5V 至 10V 的标准栅极驱动。这些参数使其成为同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择，能够在提升系统效率的同时，满足紧凑型设计的需求。
基本参数：
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