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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF7N65 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和7A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.56欧姆 @ 3.5A，有助于降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为23nC，支持快速的开关切换，有利于提升系统效率并降低开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备38.5W（Tc）的功率耗散能力，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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