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零件图片(仅供参考)
规格参数
AO4850是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列,集成于8-SOIC封装中。该器件设计用于逻辑电平驱动,栅极阈值电压最大为3V,可直接由微处理器或标准数字IC控制,简化了系统设计。
其核心电气性能包括75V的漏源电压(Vdss)和2.3A的连续漏极电流(Id)处理能力。关键优势在于低导通电阻(130mΩ @ 10V Vgs)和极低的栅极电荷(7nC @ 10V),这共同实现了高效的功率传输与快速的开关速度,有助于提升整体能效并降低开关损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于广泛的工业与环境条件。
制造商产品型号:AO4850制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):75V25°C时电流-连续漏极(Id):2.3A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 3.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 30V功率-最大值:1.1W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)AO4850,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AO4850
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
点击此处查询AO4850的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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