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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOK29S50L是一款采用TO-247封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心优势在于500V的漏源电压（Vdss）和29A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件通过优化的技术实现了低至150毫欧的导通电阻（Rds(on)），能显著降低传导损耗。同时，其26.6nC的低栅极电荷（Qg）有利于实现高速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动等系统效率的理想选择。
基本参数：
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