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AO4413_101是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在20V Vgs、15A Id条件下典型值仅为7毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其61nC的低栅极电荷有助于实现快速开关并减少驱动需求。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流达15A，阈值电压与标准逻辑电平兼容。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，确保了在各类电源管理、负载开关及电池保护应用中的高效与可靠运行。

• 制造商产品型号：AO4413_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4413_101，AOS产品一站式供应商。