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零件图片（仅供参考）
AO4413_101
规格参数

AO4413_101是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在20V Vgs、15A Id条件下典型值仅为7毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其61nC的低栅极电荷有助于实现快速开关并减少驱动需求。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流达15A，阈值电压与标准逻辑电平兼容。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和3.1W的功率耗散能力，确保了在各类电源管理、负载开关及电池保护应用中的高效与可靠运行。

  • 制造商产品型号：AO4413_101
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4413_101
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4413_101的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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