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零件图片（仅供参考）
AONS660A70F
规格参数

AONS660A70F是AOS公司aMOS5系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用8-DFN-EP封装，核心优势在于其700V的高耐压能力与低至660毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻，有效平衡了高压应用下的效率与可靠性。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷仅为14.5nC，有助于降低开关损耗并提升工作频率。器件支持高达9.6A（Tc）的连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业电源、电机控制及LED驱动等场景中的稳定运行和长寿命。

  • 制造商产品型号：AONS660A70F
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：aMOS5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.7A（Ta），9.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：660 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），138W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AONS660A70F
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONS660A70F的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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