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AONS660A70F是AOS公司aMOS5系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用8-DFN-EP封装，核心优势在于其700V的高耐压能力与低至660毫欧（@10V， 2.5A）的导通电阻，有效平衡了高压应用下的效率与可靠性。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷仅为14.5nC，有助于降低开关损耗并提升工作频率。器件支持高达9.6A（Tc）的连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业电源、电机控制及LED驱动等场景中的稳定运行和长寿命。

• 型号:AONS660A70F
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta），9.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONS660A70F，AOS产品一站式供应商。