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AOT414 零件图片(仅供参考)

AOT414
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AOT414 规格参数

AOT414是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压(Vdss)以及在壳温(Tc)条件下高达43A的连续漏极电流(Id)处理能力,为功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性,在10V Vgs、20A Id条件下,导通电阻(Rds(On))典型值仅为25毫欧,能有效降低传导损耗。同时,其最大栅极电荷(Qg)为34nC,有助于实现快速的开关切换,提升系统效率。其宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)和强大的功率耗散能力(Tc下115W)确保了在苛刻环境下的稳定运行。

  • 型号:AOT414
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A(Ta),43A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2200 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),115W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
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AOT414 基本参数:

  • 电子零件型号:AOT414
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOT414的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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