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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT414是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达43A的连续漏极电流（Id）处理能力，为功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为25毫欧，能有效降低传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为34nC，有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和强大的功率耗散能力（Tc下115W）确保了在苛刻环境下的稳定运行。
制造商产品型号：AOT414制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SDMOS零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A（Ta），43A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），115W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AOT414，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOT414
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 5.6A/43A TO220
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOT414的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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