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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF20N40L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为400V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为250毫欧（@10A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，45nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，降低动态损耗。器件结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各种环境下的高可靠性。
基本参数：
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