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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6284A是一款采用AOS先进AlphaSGT技术的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，具备80V漏源电压（Vdss）和48A（Tc）的连续电流处理能力。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至6.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为52nC（@10V），有助于降低高频开关应用中的开关损耗，提升整体电源转换效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和56W（Tc）的功率耗散能力，确保了在各种环境下的高可靠性。
基本参数：
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