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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6405_101是一款采用6-TSOP封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）额定值下，实现了低至52毫欧（@5A, 10V）的导通电阻，有效降低了导通损耗。
该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，输入电容（Ciss）为520pF，有利于高频应用并减少驱动损耗。2.4V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适用于空间受限且要求高效率的功率开关电路设计。
基本参数：
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