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AO6405_101是一款采用6-TSOP封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）额定值下，实现了低至52毫欧（@5A, 10V）的导通电阻，有效降低了导通损耗。

该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，输入电容（Ciss）为520pF，有利于高频应用并减少驱动损耗。2.4V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适用于空间受限且要求高效率的功率开关电路设计。

• 制造商产品型号：AO6405_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• AO6405_101，AOS产品一站式供应商。