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AON6414AL是AOS公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（8mΩ @10V, 20A）与栅极电荷（24nC @10V），这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，显著提升系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达30A的连续漏极电流，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）。这些参数使其成为同步整流、电机驱动和负载管理等应用的理想选择，在要求高功率密度和可靠性的设计中表现出色。

• 型号:AON6414AL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• AON6414AL，AOS产品一站式供应商。