AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6400L_002是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为1.4毫欧，配合30V的漏源电压额定值，能显著降低传导损耗，提升系统效率。
器件具备强大的电流处理能力，在Tc=25°C时连续漏极电流高达85A，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。其动态参数，如最大170nC的栅极电荷（Qg @ 10V），确保了快速的开关性能，适用于高频开关场景。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等中低压、高电流应用的可靠解决方案。
基本参数：
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