AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2408 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DFN-EP（2x2）紧凑型封装，专为高效、高密度电源设计而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值14.5mΩ @ 4.5V, 8A）与栅极电荷（最大值7nC @ 4.5V），这共同确保了在开关电源应用中实现最低的传导与开关损耗。
该器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流达8A，并支持高达2.8W的功率耗散，结合其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C），提供了强大的电流处理能力和出色的热可靠性。这些参数使其成为同步整流、负载开关和电池管理等低压大电流场景中的高性能解决方案。
基本参数：
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