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AON6936是AOS推出的一款采用8-PowerVDFN封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的N沟道MOSFET，构成一个高效的半桥单元，其漏源电压（Vdss）为30V，适用于主流低压电源系统。

其核心电气优势在于极低的导通电阻（典型值4.9mΩ @ 20A, 10V）和较低的栅极电荷（最大值24nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达40A的连续漏极电流，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，结合表面贴装封装，为高密度、高性能的功率转换设计提供了可靠的解决方案。

• 型号:AON6936
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A，40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:984pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.6W，4.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6936，AOS产品一站式供应商。