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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT2904是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术制造。该器件额定漏源电压为100V，在25°C壳温下可连续通过高达120A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下最大值仅为4.4毫欧，能有效降低导通损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为135nC，有助于实现快速开关并降低开关损耗，提升系统整体效率。器件采用TO-220封装，最大功率耗散为326W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性和稳定性。
基本参数：
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