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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4488L是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、20A条件下最大值仅为4.6毫欧,配合15A的连续电流能力,能够有效降低导通损耗,提升功率转换效率。
该器件具备30V的漏源电压额定值,栅极驱动特性均衡,最大栅极电荷为112nC,有利于实现快速的开关切换。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)确保了在多种环境条件下的可靠性。该产品适用于需要高效功率开关的紧凑型设计,如DC-DC转换和电机控制等应用场景。

基本参数:
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