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零件图片（仅供参考）
AOTF2N60L
规格参数

AOTF2N60L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。该器件核心规格为600V漏源电压(Vdss)与2A连续漏极电流(Id)，其设计重点在于提供可靠的高压阻断能力和有效的开关控制。

其技术亮点包括在10V驱动电压下典型值为4.4欧姆的低导通电阻，有助于降低导通损耗；以及较低的栅极电荷，有利于提升开关效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备31W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其适用于各类中低功率的高压开关应用。

  • 制造商产品型号：AOTF2N60L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF2N60L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF2N60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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