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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT66916L 是一款采用 TO-220 封装的 N 沟道功率 MOSFET，隶属于 AOS 的 AlphaSGT 系列。该器件设计用于中压、大电流应用，其核心电气参数包括 100V 的漏源电压（Vdss），以及在 Vgs=10V 条件下低至 3.6 毫欧的导通电阻（Rds(On)），这确保了极低的传导损耗。
器件在 25°C 环境温度下可连续通过 35.5A 电流，结合管壳温度（Tc）条件时电流能力可达 120A，并支持高达 277W 的功率耗散，展现了强大的功率处理与散热能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为 78nC，有利于实现高效率的快速开关。这些特性使其成为提升电源转换和电机驱动系统性能与可靠性的关键组件。
基本参数：
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