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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTL66518是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心规格包括150V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下高达214A的连续漏极电流（Id）处理能力。
该器件的关键性能优势体现在其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为4.3mΩ，以及较低的栅极电荷（Qg@10V最大115nC）。这种低Rds(On)与低Qg的组合，能够显著降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为500W（Tc），确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和可靠性。
基本参数：
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