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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR21307是一款采用8-DFN-EP（3x3）封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心优势在于在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与极低的功率损耗。
该器件额定漏源电压为30V，在壳温25°C下可连续承载高达24A的电流。其关键性能指标包括：在10V Vgs和17A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至11毫欧，这直接降低了导通状态下的功耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为50nC @ 10V，有助于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为空间受限且对效率要求苛刻的电源管理应用的理想解决方案。
基本参数：
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