我们为全球各个行业提供AOS AO3415现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO3415是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L表面贴装封装。其核心电气特性包括20V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为低压大电流开关应用提供了基础保障。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关效率。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为43毫欧（@4A），能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）低至17.2nC（@4.5V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）进一步确保了其在各种环境下的可靠性。

• 型号:AO3415
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3415，AOS产品一站式供应商。