AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6980是AOS公司推出的一款采用SRFET技术的双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN紧凑封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，构成一个优化的半桥单元，旨在实现高功率密度和高效率的功率管理解决方案。
其核心电气参数针对现代高效电源设计进行了优化。器件提供30V的漏源电压额定值，并在10V栅极驱动下实现低至6.8毫欧的导通电阻，显著降低了传导损耗。同时，最大2.2V的栅极阈值电压确保了与低压逻辑控制器的直接兼容性。此外，较低的栅极电荷（22nC @10V）和输入电容有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。
凭借18A/27A的连续电流能力、高达4.1W的功耗处理能力以及-55°C至150°C的宽结温工作范围，AON6980能够可靠地工作在要求严苛的同步整流、电机驱动和DC-DC转换器等应用场景中。
基本参数：
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