AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOD4C60及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD4C60是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），具备处理中等功率等级的能力。
该器件的关键优势在于其平衡的开关性能，其导通电阻（Rds(on)）最大值为950毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至18nC，这有助于在降低导通损耗的同时实现较高的开关频率，提升电源转换效率。其工作结温范围宽达-50°C至175°C，确保了在恶劣环境下的应用可靠性。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询