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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOB190A60CL是AOS公司aMOS5系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263(D2Pak)表面贴装封装。该器件核心卖点在于其600V的高漏源耐压(Vdss)与低至190毫欧的导通电阻(Rds(on))的出色结合,能够在高压应用中显著降低导通损耗。
在25°C壳温条件下,其连续漏极电流(Id)额定值达20A,最大功率耗散为208W,展现出强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动设计友好,最大栅极电荷(Qg)仅为34nC,有助于提升开关频率并优化整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高功率密度与高可靠性的理想选择。

基本参数:

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