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AO4614BL_DELTA是AOS推出的一款集成N沟道与P沟道MOSFET的互补对管阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件为设计人员提供了一个高度集成的解决方案，将两个极性相反、性能参数匹配的40V功率开关集成于单一芯片内，有效节省了PCB空间并简化了布局。

其核心电气参数针对中功率应用进行了优化。N沟道与P沟道MOSFET分别支持6A和5A的连续漏极电流，并在10V Vgs驱动下具备低至30毫欧和45毫欧的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升系统整体效率。器件兼容标准逻辑电平驱动，栅极电荷特性经过优化，有利于实现快速的开关切换。宽广的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在各种环境下的可靠性。

• 型号:AO4614BL_DELTA
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta），5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4614BL_DELTA，AOS产品一站式供应商。