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零件图片(仅供参考)
规格参数
AOI518 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-251A 通孔封装。其核心优势在于优异的导通特性,在 10V Vgs 条件下导通电阻低至 8 毫欧(@20A),能有效降低导通损耗,提升系统整体效率。
该器件额定漏源电压为 30V,具备强大的电流处理能力,在管壳温度下连续电流可达 46A。其栅极驱动特性兼容性强,阈值电压典型,栅极电荷较低,有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。这些特性使其成为低压、大电流开关电源和电机驱动应用的理想选择。
制造商产品型号:AOI518制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),46A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):951pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-251AAOI518,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AOI518
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AOI518的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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