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AOI518 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装。其核心优势在于优异的导通特性，在 10V Vgs 条件下导通电阻低至 8 毫欧（@20A），能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。

该器件额定漏源电压为 30V，具备强大的电流处理能力，在管壳温度下连续电流可达 46A。其栅极驱动特性兼容性强，阈值电压典型，栅极电荷较低，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。这些特性使其成为低压、大电流开关电源和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:AOI518
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:951 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI518，AOS产品一站式供应商。