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零件图片（仅供参考）
AOC2412
规格参数

AOC2412是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用4-AlphaDFN（1.57x1.57mm）紧凑型表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）达4.5A，核心优势在于其极低的导通电阻，在4.5V Vgs和1.5A Id条件下，Rds(On)最大值仅为23毫欧，能有效降低导通损耗，提升系统效率。

其电气特性还包括最大1V的低栅极阈值电压、32nC的低栅极电荷（Qg）以及宽泛的-55°C至150°C工作结温范围。这些参数共同确保了器件具备快速开关能力、良好的驱动兼容性以及在严苛环境下的稳定运行。该MOSFET主要面向空间受限、要求高效率的便携式设备电源管理、低压电机驱动及各类板级功率开关应用。

  • 制造商产品型号：AOC2412
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 4.5A 4ALPHADFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1842pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：550mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-AlphaDFN（1.57x1.57）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOC2412
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 4.5A 4ALPHADFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOC2412的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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