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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6532 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 8-DFN 封装，专为高效率、高密度功率转换应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（5mΩ @ 10V, 20A）与优化的栅极电荷（23nC @ 10V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡，有助于提升系统整体能效。
器件具备 30V 的漏源电压和强大的电流处理能力（Tc 条件下 Id 达 68A），为设计提供了充足的功率裕量。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）和良好的热特性，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性，适用于同步整流、负载开关及电机控制等多种场景。
基本参数：
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