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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF20C60P 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件的核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V Vgs驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为250毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，80nC的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其在追求高效率与可靠性的功率开关设计中成为一个实用的选择。
基本参数：
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