AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO9926BL是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其栅源阈值电压最大值为1.1V，可直接由标准微控制器端口驱动，简化了电路设计。
其核心电气性能表现为：在10V Vgs条件下，导通电阻低至23毫欧（@7.6A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷最大值仅为12.5nC，确保了快速的开关速度。器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流达7.6A，适用于中低功率的开关应用。
基本参数：
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