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零件图片（仅供参考）
AOD4182
规格参数

AOD4182是一款采用表面贴装TO-252（D-Pak）封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的SDMOS产品系列。其核心电气特性包括80V的漏源电压（Vdss）以及低至15.5毫欧（@10V Vgs, 20A Id）的导通电阻，这确保了在开关和导通状态下的高效率与低损耗。

该器件在壳温（Tc）条件下可支持高达53A的连续漏极电流和100W的最大功耗，表现出较强的电流处理与散热能力。其栅极电荷（Qg）最大值为34nC，有助于实现快速的开关切换，适用于频率较高的功率转换场景。这些参数共同定义了AOD4182作为一款适用于中压、中电流功率路径管理的半导体开关的定位。

  • 制造商产品型号：AOD4182
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 8.5A/53A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：SDMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Ta），53A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2005pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD4182
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 8.5A/53A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD4182的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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