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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6360P是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,隶属于AlphaMOS产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装,具备30V的漏源电压额定值,并在管壳温度下支持高达85A的连续漏极电流,展现出卓越的电流承载能力。
其核心优势在于极低的功率损耗。器件在10V栅极驱动下,导通电阻典型值低至3毫欧(@20A),同时栅极电荷最大值仅为24nC,这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。这些特性使其成为空间受限且对效率要求极高的同步整流、电机驱动和负载管理等应用的理想选择。

基本参数:
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