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AON6360P是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于AlphaMOS产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，具备30V的漏源电压额定值，并在管壳温度下支持高达85A的连续漏极电流，展现出卓越的电流承载能力。

其核心优势在于极低的功率损耗。器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至3毫欧（@20A），同时栅极电荷最大值仅为24nC，这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。这些特性使其成为空间受限且对效率要求极高的同步整流、电机驱动和负载管理等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6360P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1590pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• AON6360P，AOS产品一站式供应商。