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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB292L 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（DPak）封装，由 AOS 制造。其核心优势在于100V 的漏源电压和极低的导通电阻（4.1mΩ @ 10V），这使其能够在高电流应用中实现更低的传导损耗和更高的能效。
该器件在壳温条件下支持高达105A 的连续漏极电流，并具备126nC 的低栅极电荷，有利于实现快速开关并降低驱动需求。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和 300W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性，适用于高功率密度设计。
基本参数：
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