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AOB292L 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（DPak）封装，由 AOS 制造。其核心优势在于100V 的漏源电压和极低的导通电阻（4.1mΩ @ 10V），这使其能够在高电流应用中实现更低的传导损耗和更高的能效。

该器件在壳温条件下支持高达105A 的连续漏极电流，并具备126nC 的低栅极电荷，有利于实现快速开关并降低驱动需求。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和 300W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性，适用于高功率密度设计。

• 型号:AOB292L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:126 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6775 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB292L，AOS产品一站式供应商。