我们为全球各个行业提供AOS AOT2606L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOT2606L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于优异的电气性能组合：60V的漏源电压（Vdss）提供了良好的电压裕度；在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至6.5毫欧，能显著降低导通损耗；同时，其连续漏极电流在环境温度下可达13A，峰值处理能力强劲。

该器件设计注重开关效率与驱动便利性，最大栅极电荷（Qg）仅为75nC，有利于实现高速开关并降低驱动电路负担。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗（Tc条件下）为115W，确保了在高温、高功率应用中的可靠性与稳定性。这些特性使其成为中等功率开关电源、电机控制和功率分配应用的优选器件。

• 型号:AOT2606L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT2606L，AOS产品一站式供应商。