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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6780 是AOS公司基于SRFET技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达85A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（1.7毫欧 @ 10V，20A）与优化的栅极电荷（76nC @ 10V），这共同实现了优异的导通损耗与开关性能平衡。
此外，器件内部集成了体肖特基二极管，增强了反向恢复特性，适用于需要快速续流的场景。其宽泛的驱动电压（4.5V-10V）兼容逻辑电平驱动，工作结温范围为-55°C至150°C。这些特性使其成为高效率、高功率密度DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用的理想选择。
基本参数：
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