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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4290A是AOS公司基于AlphaSGT技术推出的N沟道MOSFET,采用8-SOIC封装。其核心优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡,在10V VGS和15.5A ID条件下,导通电阻最大值仅为6.4毫欧,显著降低了导通损耗。
该器件额定电压为100V,连续漏极电流达15.5A,栅极电荷最大值为95nC,具备快速开关能力。其低至2.3V的栅极阈值电压和宽泛的驱动电压范围(4.5V-10V)确保了与常见逻辑电路的兼容性及驱动的便捷性。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、电机驱动和电源管理等应用的可靠解决方案。

基本参数:

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