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零件图片（仅供参考）
AOD4185L_003
规格参数

AOD4185L_003是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达40A（Tc=25°C）的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用场景。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下最大值仅为15毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为18.6nC（@4.5V），有利于实现高速开关并降低驱动需求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号：AOD4185L_003
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2550pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD4185L_003
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD4185L_003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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