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零件图片（仅供参考）
AON1620
规格参数

AON1620是一款采用6-DFN（1.6x1.6mm）封装的N沟道MOSFET，专为空间受限的高效率应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs和4A Id条件下，Rds(On)最大值仅为22毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至12nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。

该器件额定漏源电压（Vdss）为12V，连续漏极电流（Id）达4A，兼容低至1.5V的逻辑电平驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些特性使其成为便携式电子设备中负载开关、电源路径管理以及低压DC-DC转换器等应用的理想选择，旨在提升系统的功率密度和整体能效。

  • 制造商产品型号：AON1620
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：770pF @ 6V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-DFN（1.6x1.6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON1620
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 12V 4A 6DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON1620的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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