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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT10N60_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心电气参数定义了其在高压功率应用中的定位：600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），使其能够胜任多数离线电源和电机驱动的开关任务。
该器件的关键性能优势在于其导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为750毫欧（@5A），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为40nC，提供了合理的开关速度与驱动简易性之间的平衡。宽广的-55°C至150°C结温工作范围确保了其在各种环境下的可靠性。
基本参数：
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