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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6800是AOS公司生产的一款采用SOT-457封装的N沟道双MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大仅为1.5V,可直接由低电压微控制器驱动,简化了系统设计。
其核心电气参数突出高效与快速开关特性:在10V Vgs下,导通电阻(Rds(on))低至60毫欧(@3.4A),有效降低了导通损耗;同时,栅极电荷(Qg)低至10nC,输入电容(Ciss)为235pF,确保了快速的开关瞬态响应和低开关损耗。器件额定值为30V Vdss和3.4A连续漏极电流,工作温度范围覆盖-55°C至150°C,适用于高密度、高效率的电源管理场景。

基本参数:
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