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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB66916L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用TO-263（D2Pak）封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻（典型值3.6mΩ @ 10V），这使其能够高效处理高达120A（Tc）的连续电流，同时将传导损耗降至最低。
此外，其优化的栅极电荷（Qg最大78nC）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。结合高达277W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，这款MOSFET为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了关键的性能保障。
基本参数：
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