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AOB66916L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用TO-263（D2Pak）封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻（典型值3.6mΩ @ 10V），这使其能够高效处理高达120A（Tc）的连续电流，同时将传导损耗降至最低。

此外，其优化的栅极电荷（Qg最大78nC）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。结合高达277W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，这款MOSFET为设计高可靠性、高功率密度的电源解决方案提供了关键的性能保障。

• 型号:AOB66916L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.5A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:78 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6180 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB66916L，AOS产品一站式供应商。