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AOTS21311C是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。该器件核心卖点在于其30V/5.9A的额定能力与低至45毫欧的导通电阻，在标准10V栅极驱动下可实现高效的电能传输，显著降低导通损耗。

其设计注重开关性能与驱动便利性，最大栅极电荷仅为26nC，有助于提升开关速度并减少驱动电路负担。器件支持4.5V至10V的逻辑电平驱动，兼容性强，且工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型DC-DC转换、负载开关及电源管理应用的优选解决方案。

• 型号:AOTS21311C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 5.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• AOTS21311C，AOS产品一站式供应商。