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零件图片（仅供参考）
AOTS21311C
规格参数

AOTS21311C是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。该器件核心卖点在于其30V/5.9A的额定能力与低至45毫欧的导通电阻，在标准10V栅极驱动下可实现高效的电能传输，显著降低导通损耗。

其设计注重开关性能与驱动便利性，最大栅极电荷仅为26nC，有助于提升开关速度并减少驱动电路负担。器件支持4.5V至10V的逻辑电平驱动，兼容性强，且工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性。这些特性使其成为空间紧凑型DC-DC转换、负载开关及电源管理应用的优选解决方案。

  • 制造商产品型号：AOTS21311C
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 5.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：720pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-TSOP
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTS21311C
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 5.9A 6TSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTS21311C的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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