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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB442是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件设计用于处理高达40V的电压，并在壳温条件下支持105A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.2毫欧 @ 10V， 20A）与优化的栅极电荷（最大值90nC @ 10V），这共同实现了更低的传导与开关损耗，提升了系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性与热性能。
制造商产品型号：AOB442制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 40V 21A/105A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SDMOS零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：90nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5600pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263（DPak）AOB442，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOB442
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 21A/105A TO263
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOB442的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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