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AON6566_MSI是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下Rds(On)最大值仅为5毫欧，配合高达32A（Tc）的连续电流能力，能显著降低传导损耗。

器件具备30V的漏源电压额定值，栅极电荷（Qg）低至33nC，有助于实现快速的开关速度和降低开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和良好的热耗散能力（Pd高达25W @ Tc），确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性，适用于高密度电源设计。

• 制造商产品型号：AON6566_MSI
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6566_MSI，AOS产品一站式供应商。