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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT460是一款N沟道功率MOSFET，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数定义了其在功率管理应用中的高效表现，包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达85A（Tc）的连续漏极电流承载能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通损耗，在10V栅极驱动、30A电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为7.5毫欧。同时，其最大栅极电荷（Qg）为88nC @ 10V，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的负担。这些特性共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中实现更高的功率转换效率和更优的热性能。
基本参数：
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