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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6420是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心优势在于60V的漏源电压与4.2A的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为60毫欧，配合11.5nC的低栅极电荷，实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的可靠性，使其成为DC-DC转换、电机控制和负载开关等高效能解决方案中的理想选择。
基本参数：
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