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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4447AL_201是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率开关应用进行了优化，包括30V的漏源电压（Vdss）和高达17A（Ta）的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs和17A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为105nC @ 10V，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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