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AO4447AL_201是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率开关应用进行了优化，包括30V的漏源电压（Vdss）和高达17A（Ta）的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs和17A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为105nC @ 10V，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。

• 制造商产品型号：AO4447AL_201
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 17A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：105nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4447AL_201，AOS产品一站式供应商。