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AOB418是一款N沟道功率MOSFET，隶属于AOS公司的SDMOS系列。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的优势地位：100V的漏源极耐压（Vdss）与在壳温25°C下达105A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够处理中高功率等级的能量转换。

该器件的关键性能亮点在于其极低的导通阻抗，在10V栅源电压、20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为9.7毫欧，这能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，兼顾了功率密度与散热需求，适用于对空间和热管理有要求的紧凑型设计。

• 制造商产品型号：AOB418
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
• 系列：SDMOS
• FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能：标准
• 漏源极电压 (Vdss)：100V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Ta），105A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：83nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5200pF @ 50V
• 功率 - 最大值：2.1W
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
• 供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
• AOB418，AOS产品一站式供应商。