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零件图片(仅供参考)
AOB418
规格参数

AOB418是一款N沟道功率MOSFET,隶属于AOS公司的SDMOS系列。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的优势地位:100V的漏源极耐压(Vdss)与在壳温25°C下达105A的连续漏极电流(Id)能力,使其能够处理中高功率等级的能量转换。

该器件的关键性能亮点在于其极低的导通阻抗,在10V栅源电压、20A漏极电流条件下,Rds(on)最大值仅为9.7毫欧,这能有效降低导通损耗,提升系统整体效率。同时,其采用TO-263(D2PAK)表面贴装封装,兼顾了功率密度与散热需求,适用于对空间和热管理有要求的紧凑型设计。

  • 制造商产品型号:AOB418
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
  • 系列:SDMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.5A(Ta),105A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):83nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5200pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:2.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263(D2Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOB418
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:IC
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询AOB418的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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