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AOC3860A是AOS公司生产的一款高性能双N沟道MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个采用共漏极连接的标准MOSFET，专为高电流、高效率应用而优化。

其核心电气参数表现优异，额定漏源电压为12V，连续漏极电流高达25A。关键特性在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs条件下仅为3.5毫欧（@5A），能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷低至44nC，支持快速开关操作，适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。

• 型号:AOC3860A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-AlphaDFN（3.05x1.77）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 25A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:6-AlphaDFN（3.05x1.77）
• AOC3860A，AOS产品一站式供应商。