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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOC3860A是AOS公司生产的一款高性能双N沟道MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个采用共漏极连接的标准MOSFET，专为高电流、高效率应用而优化。
其核心电气参数表现优异，额定漏源电压为12V，连续漏极电流高达25A。关键特性在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs条件下仅为3.5毫欧（@5A），能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷低至44nC，支持快速开关操作，适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。
基本参数：
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